Infineon IRFR4105TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 27A; D-pak (TO-252AA); Pd 68W
$ 0.561
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFR4105TRPBF.

Newark

Datasheet12 páginasHace 21 años

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-18.24%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRFR4105TRPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Componentes relacionados

InfineonIRFR4105PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
InfineonIRLR2705PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFR4105TRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 22.7 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 55V, 27A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 27A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 68W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFR4105 TRPBF
  • IRFR4105TRPBF.
  • SP001567638