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onsemi HUF75321D3ST

N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
$ 0.473
Production
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Verical
2
HUF75321D3ST
10.982
717
USD
0,483
0,430
Arrow Electronics
HUF75321D3ST
90
1
USD
0,473
0,473
0,473
0,473
0,473
Avnet
2
HUF75321D3ST
2812
2381
USD
0,332
20h
Rochester Electronics
2
HUF75321D3ST
10.982
USD
0,465
0,386
0,344
18h
Flip Electronics
HUF75321D3ST
2812
1d

Fichas técnicas y documentos

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Ficha técnica oficialHace 12 años

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiHUF75321D3ST
onsemiHUF75321D3S
Price @ 1000
$ 0.473
$ 0.469
Stock
989,040
130,853
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
36 mΩ
36 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
93 W
93 W
Input Capacitance
680 pF
680 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descripciones

Descripciones de onsemi HUF75321D3ST suministradas por sus distribuidores.

N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
onsemi
N-Channel 55 V 0.036 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
55 V, 20 A, 36 MILLI OHM, N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
93W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 44nC@ 20 V 1individualNChannel 55V 36m¦¸@ 20A,10V 20A 680pF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
UnikeyIC
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75321.
Fairchild Semiconductor

Imágenes

LZChips
Future Electronics
Master Electronics
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • HUF75321D3ST.