Infineon IRF9328TRPBF
$ 0.542
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF9328TRPBF | 96.702 | 16h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9328TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 5h | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF9328TRPBF | 4000 | 1 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Win Source | WS-IRF9328TRPBF | 4960 | 70 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF9328TRPBF. | 12.192 | 7 | Tape & Reel | 16h |
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Componentes alternativos
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Price @ 1000
$ 0.542
$ 0.526
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Stock
1,112,033
396,960
396,960
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOP
SOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
13 A
13 A
Threshold Voltage
-1.8 V
-
-
Rds On Max
11.9 mΩ
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
-
-
Input Capacitance
1.68 nF
2.748 nF
2.748 nF
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-05-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Componentes relacionados
InfineonIRF7413PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF9328TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 19.7 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -12A, SOIC; Tra; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -12A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance11.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11.9 mΩ
Resistance11.9 MΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento