Infineon IRF7413PBF
$ 0.74
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7413PBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF7413PBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF7811AVPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7413PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
Single N-Channel 30 V 0.011 Ohm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:58A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7413; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11 mΩ
Recovery Time110 ns
Resistance11 mΩ
Rise Time50 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7413PBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento