Infineon IRF6629TR1PBF

Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
$ 3.01
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF6629TR1PBF.

IHS

Datasheet10 páginasHace 19 años

DigiKey

Newark

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20

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MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.7 mOhm, ID 28A, DirectFET
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
InfineonIRF6611TR1
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF6629TR1PBF suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:23A; On Resistance, Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MX ;RoHS Compliant: Yes
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes optimized with low on resistance for applications such as active OR'ing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:1170mJ; Base Number:6629; Cont Current Id @ 70°C:23; Current Id Max:23A; Fall Time tf:7.4ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:230A; Rise Time:67ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Termination Type:SMD; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF6629TR1 PBF