Infineon IRF5305PBF
$ 0.516
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -28.35%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF5305PBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF5305PBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25
Componentes relacionados
InfineonIRFZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-16V
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF5305PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 110 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 31A; Drain Source Voltage Vds: -55V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -28.35%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating-31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-55 V
Dual Supply Voltage-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max60 mΩ
Recovery Time110 ns
Resistance60 mΩ
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height19.3 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF5305PBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento