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Infineon IRF3205ZSTRLPBF

Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 0.919
Production
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
IRF3205ZSTRLPBF
4800
800
USD
0,656
0,626
17h
Newark
3
IRF3205ZSTRLPBF
487
1
Cut Tape
USD
2,960
2,960
1,430
1,340
1,290
Rochester Electronics
IRF3205ZSTRLPBF
1600
USD
1,000
0,830
0,740
15h
Arrow Electronics
3
IRF3205ZSTRLPBF
800
1
USD
1,497
1,492
1,482
1,472
1,472
Mouser
942-IRF3205ZSTRLPBF
4507
1
Tape & Reel
USD
2,880
1,430
1,270
0,863
0,855

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF3205ZSTRLPBF.

element14 APAC

Datasheet13 páginasHace 16 años
Datasheet13 páginasHace 22 años

Newark

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRF3205ZSTRLPBF
InfineonAUIRF3205ZS
InfineonAUIRF3205ZS
Price @ 1000
$ 0.919
$ 1.24
$ 1.24
Stock
1,007,765
195,843
195,843
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF3205ZSTRLPBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
170W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 55V 6.5m¦¸@ 66A,10V 3.45nF@25V D2PAK
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:75A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:170W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205ZSTRLPBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Imágenes

Infineon
element14
element14
Farnell
TME
Micros
Conrad
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics
LZChips
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF3205ZS
  • IRF3205ZSTRLPBF.
  • SP001559546