Infineon AUIRF3205ZS
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1,651,538
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Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
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Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRF3205ZS suministradas por sus distribuidores.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width11.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento