Infineon IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R / Very high commutation ruggedness
$ 0.74
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPL60R360P6SATMA1.

IHS

Datasheet14 páginasHace 0 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.16%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPL60R360P6SATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTB18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTD16N60M2
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTB18N60DM2
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, DPAK

Descripciones

Descripciones de Infineon IPL60R360P6SATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R / Very high commutation ruggedness
Transistor MOSFET N-CH 600V 11.3A 5-Pin SMD T/R
89.3W 20V 4.5V 22nC@ 10V 600V 360m¦¸@ 10V 11.3A 1.01nF@ 100V TSON-8-EP
Infineon MOSFET IPL60R360P6SATMA1
The new CoolMOS™ ThinPAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs, PG-TSON-8, RoHS
Infineon SCT
IPL60R360 - 600V COOLMOS N-CHANN
Mosfet, N-Ch, 600V, 11.3A, Smd-5; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPL60R360P6SATMA1
The new CoolMOS ThinPAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs. This new package has a very small footprint of 5x6mm 2 and a very low profile with only 1mm height. | Summary of Features: Small footprint (5x6mm); Low profile (1mm); Low parasitic inductance; RoHS compliant; Halogen free mold compound | Benefits: Reduced board space consumption; Increased power density; Short commutation loop; Easy to use products; Environmentally friendly | Target Applications: Adapter; Consumer; Lighting

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPL60R360P6S
  • SP001163030