STMicroelectronics STB18N60M2
$ 1.075
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13933-1-ND | 605 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB18N60M2 | 0 | 1K | 13h | ||||||||
| Avnet | STB18N60M2 | 0 | 1K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | STB18N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STB18N60M2 | 0 | 5 | Bulk | 17h |
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB18N60M2 suministradas por sus distribuidores.
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Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance791 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation110 W
Rds On Max280 mΩ
Resistance280 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant