Infineon IPB65R110CFDATMA1
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$ 3.06
$ 2.946
Stock
1,434,441
920,042
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF
Cadena de suministros
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
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STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB65R110CFDATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.2 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance110 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Rise Time11 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time16 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento