STMicroelectronics STB34NM60N
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB34NM60N | 2000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB34NM60N | 2000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-12236-1-ND | 490 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB34NM60N | 0 | 1K | 20h | ||||||||
| Avnet | STB34NM60N | 0 | 1K | 23h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB60R099CPATMA1
255KW 20V 60nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 2.8nF@ 100V D2PAK , 10mm*925cm*4.5mm
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB34NM60N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
STB34NM60N N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 600 V, 2+Tab-Pin TO-263
250W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 84nC@ 10 V 1N 600V 105m¦¸@ 14.5A,10V 29A 2.722nF@100V D2PAK,TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Low gate input resistance | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 31.5A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:210W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.5 A
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.722 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max105 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant