Infineon BSC010NE2LSIATMA1

2.5KW 20V 2V 59NC 1N 25V 1.05M¦¸@ 10V 100A 4.2NF@ 12V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 0.769
NRND
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DistributorSKUMinPkg
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2
BSC010NE2LSIATMA120.0005K
11h
Newark
2
BSC010NE2LSIATMA166361Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC010NE2LSIATMA17182
9h
DigiKey
3
BSC010NE2LSIATMA1CT-ND91711Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC010NE2LSIATMA1381

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Newark

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
InfineonBSC010NE2LSATMA1
Price @ 1000
$ 0.769
$ 0.75
Stock
2,825,886
1,882,219
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF

Cadena de suministros

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

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onsemiFDMS7560S
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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC010NE2LSIATMA1 suministradas por sus distribuidores.

2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Maritex
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1.
Newark

Imágenes

TME
element14 APAC
Augswan
TME
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC010NE2LSI
  • BSC010NE2LSIATMA1.
  • BSC010NE2LSIATMA1.......
  • BSC010NE2LSIXT
  • SP000854376