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Infineon BSC010NE2LSATMA1

Transistor, Mosfet, N-channel, 25V, 39A, 1.0 Mohm, 242A, 33 Nc, TSDSON8
$ 0.747
Production
Ficha técnica
Página del fabricante

Precio y existencias

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
2
BSC010NE2LSATMA1
2207
1
USD
2,600
2,600
1,120
0,820
0,793
19h
Newark
3
BSC010NE2LSATMA1
2207
1
Cut Tape
USD
2,800
2,800
1,210
0,946
0,907
RS (Formerly Allied Electronics)
BSC010NE2LS
10
1
Bulk
USD
0,340
0,340
0,340
0,340
0,340
6h
Arrow Electronics
2
BSC010NE2LSATMA1
25.780
1
USD
1,773
1,773
1,773
1,773
1,773
Future Electronics
2
BSC010NE2LSATMA1
0
5K
Tape & Reel
USD
1,870

Fichas técnicas y documentos

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Datasheet10 páginasHace 13 años

Farnell

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonBSC010NE2LSATMA1
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
Price @ 1000
$ 0.747
$ 0.68
Stock
1,688,255
2,617,560
Authorized Distributors
5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
38 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
96 W
Input Capacitance
4.7 nF
4.2 nF

Cadena de suministros

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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onsemiFDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
Detalles
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC010NE2LSATMA1 suministradas por sus distribuidores.

TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 39A, 1.0 MOHM, 242A, 33 NC, TSDSON8
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source
Single N-Channel 25 V 96 W 85 nC OptiMOS Surface Mount Mosfet - TDSON-8
Future Electronics
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

TME
Augswan
Newark
RS
TME
LZChips
RS (Formerly Allied Electronics)

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC010NE2LS
  • BSC010NE2LSATMA1.
  • SP000776124