Infineon AUIRFZ48N
$ 1.272
Obsolete
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 1.272
$ 0.584
Stock
272,363
2,002,308
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
69 A
64 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
94 W
Input Capacitance
1.9 nF
1.97 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-10-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRFZ48N suministradas por sus distribuidores.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
TUBE / Automotive MOSFET 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220
Trans MOSFET N-CH 55V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, AUTO, N-CH, 55V, TO220AB3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:69A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.01%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)69 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation160 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time62 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento