Infineon AUIRF7343QTR
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3,675,042
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Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
4.7 A
4.7 A
4.7 A
Threshold Voltage
1 V
1 V
1 V
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
740 pF
740 pF
740 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2014-10-28
LTD Date2015-04-28
Componentes relacionados
InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMHC4035LSD-13
Mosfet, N/P-Ch, 40V, 4.5A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMHC4035LSD-13
STMicroelectronicsSTS4DNF60L
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 4A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRF7343QTR suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
TAPE AND REEL / Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package
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HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,NP CH,55V,4.7A,3.4A,SO8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 4.7A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V;
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance740 pF
Max Junction Temperature (Tj)4.7 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento