Diodes Inc. DMHC4035LSD-13
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Componentes relacionados
InfineonAUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC "Mosfet Array 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SOIC"
Diodes Inc.ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMC3A16DN8TC
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMHC4035LSD-13 suministradas por sus distribuidores.
40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.5 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
DiodesZetex N/PChannel EnhancedMOSTube, Vds=40 V, 2.9 A，4.5 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET H-BRIDGE 40V 4.5A/3.7A SOIC8
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
H-Bridge MOS 40V 4A 45mOhm SO-8
DiodesZetex DMHC4035LSD-13 MOSFET
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 40V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道/P沟道, 40V, 4.5A;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time15.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance574 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements4
Rds On Max45 mΩ
Rise Time2.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36.3 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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