Diodes Inc. ZXMP4A16GTA
$ 0.378
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMP4A16GTA | 1000 | 1K | 22h | ||||||||
| Newark | ZXMP4A16GTA | 5580 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMP4A16GTA | 37 | 37 | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMP4A16GTA | 37 | 37 | |||||||||
| DigiKey | ZXMP4A16GCT-ND | 12.837 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN4A06GTA
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 0.05ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP4A16GTA suministradas por sus distribuidores.
ZXMP4A16G Series 40 V 0.06 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Mosfet Bvdss: 31V-40V Sot223 T&r 1K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP4A16GTA
Transistor, FET P-CH, Enhance Mode, 40V, 6.4A, 2W, SOT-223
MOSFET, P, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.4A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipatio
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Current Rating-6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Dual Supply Voltage-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.007 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.9 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time8.84 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time29.18 ns
Turn-On Delay Time2.33 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento