onsemi NDT452AP

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
$ 0.417
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NDT452AP.

Farnell

Datasheet7 páginasHace 28 años
Datasheet0 páginasHace 0 años
Datasheet0 páginasHace 0 años
Datasheet8 páginasHace 17 años

Upverter

IHS

element14 APAC

Newark

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+47.30%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi NDT452AP desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
3DDescargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Componentes relacionados

onsemiNDT454P
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5.9A, 50mΩ
onsemiFDT457N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemiFDT459N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
STMicroelectronicsSTN4NF03L
N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V

Descripciones

Descripciones de onsemi NDT452AP suministradas por sus distribuidores.

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5A, 65mΩ
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 40 / Rise Time ns = 30 / Turn-OFF Delay Time ns = 50 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 1.1

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • NDT452AP.