onsemi FDT457N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
$ 0.339
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetFDT457N80004K
3d
Rochester ElectronicsFDT457N99
18h
DigiKey
3
FDT457NCT-ND9011Cut Tape
Newark
2
FDT457N04KTape & Reel
Onlinecomponents.comFDT457N0100Bulk

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDT457N.

IHS

Datasheet6 páginasHace 3 años
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onsemi

Farnell

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiFDT457N
STMicroelectronicsSTN4NF03L
Price @ 1000
$ 0.339
$ 0.36
Stock
325,745
2,529,311
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 mV
30 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
6.5 A
Threshold Voltage
1.6 V
1 V
Rds On Max
60 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
Power Dissipation
3 W
3.3 W
Input Capacitance
235 pF
330 pF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi FDT457N suministradas por sus distribuidores.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi
3W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 5.9nC@ 5 V 1N 30V 60m¦¸@ 5A,10V 5A 235pF@15V SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
UnikeyIC
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:5A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Fairchild Semiconductor

Imágenes

element14
RS
iiiC
Augswan
Farnell
Farnell
element14 APAC
TME
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • FDT457N.