Diodes Inc. ZVN4206GTA
$ 0.385
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZVN4206GTA | 1000 | 1K | 3d | ||||||||
| TME | ZVN4206GTA | 804 | 1 | 6h | ||||||||
| DigiKey | ZVN4206GCT-ND | 2816 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZVN4206GTA | 0 | 10 | Bulk | 10h | |||||||
| Future Electronics | ZVN4206GTA | 0 | 1K | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +42.12%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Diodes Inc. ZVN4206GTA desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.385
$ 0.467
$ 0.467
Stock
853,962
113,105
113,105
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
1 A
1 A
1 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
1 Ω
1 Ω
1 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
100 pF
100 pF
100 pF
Componentes relacionados
VishayIRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.7 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRFL014PBF.
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.2OHM, ID 2.7A, SOT-223,PD 3.1W, VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZVN4206GTA suministradas por sus distribuidores.
ZVN4206G Series 60 V 1 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET -SOT-223
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +42.12%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento