Vishay IRFL014TRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
VishayIRFL014PBF.
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.2OHM, ID 2.7A, SOT-223,PD 3.1W, VGS +/-20V
InfineonBSP320SH6327XTSA1
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 9.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
InfineonIRFL014NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFL014TRPBF suministradas por sus distribuidores.
IRFL014TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.7 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223-3
POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.50%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.212891 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance200 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento