Diodes Inc. FZT849

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.666
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
FZT8497511Cut Tape
element14 APAC
2
FZT8497511Cut Tape
15h
Farnell
4
FZT8497511Cut Tape
22h
Win SourceWS-FZT84936.00095
23h
UnikeyICFZT84981018
4h

Fichas técnicas y documentos

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Datasheet7 páginasHace 9 años

Newark

IHS

Farnell

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Diodes Inc.FZT849
Diodes Inc.FZT849TA
Price @ 1000
$ 0.666
$ 0.482
Stock
47,581
671,196
Authorized Distributors
3
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
120 V
Max Collector Current
7 A
7 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
350 mV
350 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Diodes Inc.FZT549TA
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Detalles
STMicroelectronicsSTN790A
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Detalles
STMicroelectronicsSTN690A
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Detalles

Descripciones

Descripciones de Diodes Inc. FZT849 suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
Trans GP BJT NPN 30V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Verical
NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
Win Source
TRANSISTOR, NPN SOT-223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 3W; DC Collector Current: 7A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Styl
Farnell
; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:30V; Continuous Collector Current, Ic:7A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):50mV; Power Dissipation, Pd:3W; DC Current Gain Min (hfe):100 ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

element14 APAC
Farnell
Farnell

Alias de fabricantes

Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • FZT849.