Diodes Inc. ZX5T949GTA
$ 0.495
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZX5T949GTA | 784 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZX5T949GCT-ND | 1798 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZX5T949GTA | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Avnet | ZX5T949GTA | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZX5T949GTA | 0 | 25 | Bulk | 16h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.FZT1149ATA
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZX5T949GTA suministradas por sus distribuidores.
ZX5T949 Series PNP 30 V 5.5 A 3 W Low Power Transistor - SOT223
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
210mV@ 500mA,5.5A PNP 3W 7V 20nA 50V 30V 5.5A SOT-223-3 1.65mm
Bipolar Transistors - BJT PNP 30V
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:110MHz; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:5.5A; DC Current Gain hFE:225; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:5.5A; Collector Emitter Voltage Vces:170mV; Continuous Collector Current Ic Max:5.5A; Current Ic @ Vce Sat:5.5A; Current Ic Continuous a Max:5.5A; Current Ic hFE:5A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.6W; Power Dissipation Ptot Max:3W; Pulsed Current Icm:20A; Resistance R1:31mohm; SMD Marking:X5T949; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:50V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage210 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current-5.5 A
Current Rating-5.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current5.5 A
Max Frequency110 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Transition Frequency110 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento