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Diodes Inc. DMN2300UFB4-7B

N-Channel 20 V 175 mOhm 1.6 nC Enhancement Mosfet - DFN-1006-3
$ 0.1
Production
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
DMN2300UFB4-7B
10.000
10K
USD
0,054
5h
Newark
3
DMN2300UFB4-7B
4812
5
Cut Tape
USD
0,245
0,162
0,125
0,125
Verical
2
DMN2300UFB4-7B
190
190
USD
0,054
0,054
Arrow Electronics
2
DMN2300UFB4-7B
190
190
USD
0,054
0,054
TME
2
DMN2300UFB4-7B
5274
1
USD
0,349
0,235
0,141
0,089
0,062
15h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. DMN2300UFB4-7B.

Diodes Inc SCT

Technical Drawing6 páginasHace 6 años

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Historial de existencias

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-73.02%
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Diodes Inc.DMN2300UFB4-7B
onsemiNDS331N
onsemiNDS331N
Price @ 1000
$ 0.1
$ 0.204
$ 0.204
Stock
3,332,118
17,383,981
17,383,981
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
1.3 A
1.3 A
1.3 A
Threshold Voltage
950 mV
700 mV
700 mV
Rds On Max
175 mΩ
160 mΩ
160 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
500 mW
Input Capacitance
64.3 pF
162 pF
162 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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Diodes Inc.DMP21D0UFB4-7B
DMP21D0UFB4 Series 20V 770 mA 495 mOhm P-Ch Enhancement Mode Mosfet-X2-DFN1006-3
Detalles

Descripciones

Descripciones de Diodes Inc. DMN2300UFB4-7B suministradas por sus distribuidores.

N-Channel 20 V 175 mOhm 1.6 nC Enhancement Mosfet - DFN-1006-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
Verical
MOSFET, N-CH, 20V, X2DFN1006-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:950mV; P
element14 APAC

Imágenes

RS
Newark
TME
Future Electronics
HQonline

Alias de fabricantes

Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • DMN2300UFB4-7B.