Vishay SUM110P06-08L-E3
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Lieferkette
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB80N06S405ATMA2
60V, N-Ch, 5.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
onsemiBBS3002-TL-1E
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InfineonIPB80N06S407ATMA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SUM110P06-08L-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Mosfet, P Channel, -60V, -110A, To-263-3, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:272W Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM110P06-08L-E3.
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, P-CH, -60V, -110A, TO-263; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -110A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -3V; Power Dissipation Pd: 272W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation272 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time190 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen