Vishay SUD50N03-06AP-E3
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
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VishaySUD19P06-60L-E3
2.7W(Ta),46W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1P 60V 60m¦¸@ 10A,10V 19A 1.71nF@25V TO-252AA 2.39mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SUD50N03-06AP-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 5.7 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-Channel MOSFETs 30V 90A 83W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:10W
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation10 W
Rds On Max5.7 mΩ
Resistance5.7 mΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen