STMicroelectronics STD86N3LH5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD85N02RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTD35NF3LLT4
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STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD86N3LH5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET H5 Power MOSFET in a DPAK package
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max5 mΩ
Resistance5 MΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time23.6 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant