Vishay SISA04DN-T1-GE3

MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Cu
$ 0.64
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HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet13 SeitenVor 3 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 9 Jahren

IHS

Farnell

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Verwandte Teile

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
MOSFET, 30V, 50A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
onsemiFDD8878
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 40A, 15mΩ
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SISA04DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cu
Semiconcuctor, Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8
30V 40A 3.7W 2.15m´Î@10V15A 2.2V@250Ã×A N Channel PowerPAK 1212-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
MOSFET 30V 2.15MOHM@10V 40A N-CH G-IV
Vishay NMOS TrenchFET, Vds=30 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, , 8
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SISA04DN-T1-GE3.