Vishay SIS443DN-T1-GE3
$ 0.725
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +143%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIS443DN-T1-GE3 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay SIS443DN-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTL11N4LLF5
N-channel 40 V, 9.1 mOhm typ., 15 A STripFET(TM) V in a PowerFLAT(TM) 3.3x3.3 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS443DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 40V 13.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET -40V .0117OHM@10V 35A P-CH G-III
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -35A, 150度 C, 52W;
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
N-Ch PowerPAK1212 BWL 80V 19.5mohm@10V
RS APAC
MOSFET, P-CH, 40V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +143%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance11.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max11.7 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.1684 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIS443DN-T1-GE3 herunter.