onsemi FDD8445-F085
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 / N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
STMicroelectronicsVND1NV04TR-E
Single N-Channel 55 V 500 mOhm 35 W V Ipower M0 Technology SMT Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD8445-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 50A, 6.7mΩ,
FDD8445-F085 Series 40 V 6.7 mOhm 50 A N-Channel PowerTrench® MOSFET-DPAK-3
TAPE REEL / 40V,35A,9.0 OHM, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
79W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 59nC@ 10 V 1N 40V 8.7m¦¸@ 50A,10V 70A 4.05nF@25V TO-252AA 6.73mm*6.22mm*2.39mm
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TSOT23-6
15.2A, 40V, 0.0087OHM, N-CHANNE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance8.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.05 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation79 W
Rds On Max8.7 mΩ
Resistance8.7 MΩ
Rise Time82 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen