Vishay SIR818DP-T1-GE3
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NRND
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySISA04DN-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cu
VishaySIS476DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta),50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@ 10 V 1N 30V 2.8m¦¸@ 24A,10V 24A,49A 3nF@15V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR818DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.0028 Ohm 69 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
N-Ch 30V 50A 5,2W 0,0028R PowerPakSO8
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.66 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.2 W
Rds On Max2.8 mΩ
Resistance2.8 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen