Vishay SIR662DP-T1-GE3

Trans Mosfet N-ch 60V 100A 8-PIN Powerpak So T/r / Mosfet N-ch 60V 60A Ppak SO-8
$ 0.888
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR662DP-T1-GE3 herunter.

Upverter

Datasheet13 SeitenVor 3 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 14 Jahren

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-13.66%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SIR662DP-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
Fußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

N-Channel 60 V 3.5 mOhm 83 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
onsemiNTB75N06G
Power MOSFET 60V 75A 9.5 mOhm Single N-Channel D2PAK
Single N-Channel 60 V 0.00625 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Single N-Channel 60 V 8.5 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
TRANSISTOR, MOSFET, POWER, SINGLE, N-CHANNEL, 60V, 6.1MOHM, 71A, NTMFS5C670NL
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 13.5mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIR662DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET Devices; VISHAY; SIR662DP-T1-GE3; 60 V; 35.8 A; 20 V; 6.25 W
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 96nC@ 10 V 1N 60V 2.7m¦¸@ 20A,10V 60A 4.365nF@30V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
60V 2.7MOHM@10V 60A N-CH MV T-FET
MOSFET, N CH, DIO, 60V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric