Infineon IRF1010EZSTRLP
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRF1010EZSTRLP | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF1010EZSTRLP | 321 | 7h | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF1010EZSTRLP | 2.400 | 1 | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Win Source | WS-159370 | 20 | 35 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF1010EZSTRLP | 17.920 | 7 | Tape & Reel | 16h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF1010EZSTRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 8.5 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:75A; On Resistance Rds(On):0.0068Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen