Vishay SIR172ADP-T1-GE3
$ 0.293
NRND
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SIR172ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SIR172ADP-T1-GE3CT-ND | 11.383 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2h | ||||||||
| TTI | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 7h | |||||||
| Avnet | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Verwandte Teile
VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
onsemiNTMS4705NR2G
Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel SO-8 - for new designs use (NTMS4801N or NTMS4816N)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR172ADP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO / Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Single N-Channel 30 V 0.0089 O 12.8 nC Power Mosfet - PowerPAK SO-8
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.515 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.9 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen