Vishay SIRA18DP-T1-GE3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
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VishaySI4174DY-T1-GE3
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIRA18DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 33 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
MOSFET Devices; VISHAY; SIRA18DP-T1-GE3; 30 V; 33 A; 20 V; 3.3 W
Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV
Vishay NMOS, Vds=30 V, 33 A, PowerPAK SO-8
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 30V 7.5mohm@10V
FET Input Operational Amplifier
MOSFET, N-CH, 30V, 33A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:14.7W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation14.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max7.5 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen