Vishay SIJ482DP-T1-GE3
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIJ482DP-T1-GE3 | 2.329 | 8 | |||||||||
| Arrow Electronics | SIJ482DP-T1-GE3 | 2.329 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3CT-ND | 2.812 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIJ482DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2h | ||||||||
| Future Electronics | SIJ482DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIR880ADP-T1-GE3
N-Channel 80 V 8.9 mOhm 83 W SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
VishaySIR826ADP-T1-GE3
Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIJ482DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 80 V 6.2 mOhm 69.4 W SMT TrenchFET Mosfet - PowerPAK SO-8
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 80V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:69.4W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins5
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69.4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation69.4 W
Rds On Max6.2 mΩ
Resistance9.5 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height1.14 mm
Length5 mm
Width4.47 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen