Vishay SIR826ADP-T1-GE3

Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
$ 1.257
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
AvnetSIR826ADP-T1-GE33.0003K
2d
TME
2
SIR826ADP-T1-GE303K
21h
TTISIR826ADP-T1-GE303KTape & Reel
1h
NewarkSIR826ADP-T1-GE303KTape & Reel
Future ElectronicsSIR826ADP-T1-GE303KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR826ADP-T1-GE3 herunter.

Upverter

Datasheet13 SeitenVor 6 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 18 Jahren

Newark

element14 APAC

Farnell

Burklin Elektronik

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+99.11%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SIR826ADP-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-03
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySIR826DP-T1-GE3
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8
Details
VishaySIR880DP-T1-GE3
SiHG20N50C Series 80 V 60 A 5.9 mOhm Power MOSFET - POWERPAK-SO-8
Details
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
Details
STMicroelectronicsSTB60NF06LT4
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
Details
InfineonAUIRLR3636
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Details
InfineonAUIRLR3110Z
AUIRLR3110Z N-channel MOSFET Transistor, 63 A, 100 V, 3-Pin TO-252AA
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIR826ADP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
Burklin Elektronik
N Chan, 80V, 60a, 5.5 mOhms @ 10V, PowerPAK® SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 80V 23.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 80V 5.5m¦¸@ 20A,10V 60A 2.8nF@40V 5.15mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 80V, 60A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Farnell

Bilder

Vishay
Newark
Farnell
Burklin Elektronik
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric