Vishay SIHG47N65E-GE3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW58N65DM2AG
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
VishaySIHG47N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
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onsemiFCH077N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 54 A, 77 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHG47N65E-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 650V, 47A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG47N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
650V, 47A, 72Mohm, 182nCQg, TO-247
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 650V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +264%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time103 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.682 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation417 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation417 W
Rds On Max72 mΩ
Rise Time87 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time156 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen