STMicroelectronics STW58N65DM2AG
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW58N60DM2AG
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 50A, 360W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW58N60DM2AG
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTWA57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH077N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 54 A, 77 mΩ, TO-247
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW58N65DM2AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
N Channel 650 V 48 A 360 W 68 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TO-247
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW58N65DM2AG
360W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 650V 65m¦¸@ 24A,10V 48A 4.1nF@100V TO-247-3 20.15mm*15.75mm*5.15mm
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 48A, TO247;
Automotive Power Discrete, 650V, 48A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 48A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation360 W
Rds On Max65 mΩ
Schedule B8541290080
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