Vishay SIHFU310-GE3

Name: Vishay SIHFU310-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHFU310-GE3

2.5W(Ta), 25W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1N 400V 3.6¦¸@ 1A, 10V 1.7A 170pF@25V TO-251AA 6.22mm

$ 0.324

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SIHFU310-GE3	2.900	1		0,287	0,261	0,228	0,212	0,207
DigiKey		742-SIHFU310-GE3-ND	2.396	1	Tube	1,140	1,140	0,489	0,357	0,266
TME	2	SIHFU310-GE3	0	1		1,307*	1,307*	0,800*	0,800*	0,800*	20h
TTI		SIHFU310-GE3	0	3K	Tube					0,250	11h
Avnet		SIHFU310-GE3	0	3K						0,215	1d

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 2 Jahren

Newark

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VishaySIHFU310-GE3

VishayIRFU310PBF

Price @ 1000

$ 0.324

$ 0.505

Stock

23,365

692,079

Authorized Distributors

6

Mount

-

Through Hole

Case/Package

-

TO-251-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

400 V

Continuous Drain Current (ID)

1.7 A

Threshold Voltage

-

4 V

Rds On Max

-

3.6 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

-

20 V

Power Dissipation

-

2.5 W

Input Capacitance

-

170 pF

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIHFU310-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.5W(Ta),25W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1N 400V 3.6¦¸@ 1A,10V 1.7A 170pF@25V TO-251AA 6.22mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA

Verical

Transistor MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin IPAK

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251

IHS

MOSFET, N-CH, 400V, 1.7A, TO-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:1.7A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: