STMicroelectronics STF40N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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N-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
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InfineonIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF40N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
40W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 57nC@ 10 V 1N 600V 88m¦¸@ 17A,10V 34A 2.5nF@100V TO-220FP 16.4mm
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 34A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:34A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF40N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant