STMicroelectronics STF40N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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InfineonIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF40N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
40W(Tc) 25V 4V@ 250µA 57nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 88mΩ@ 17A,10V 34A 2.5nF@100V TO-220FP Through hole mounting 16.4mm(height)
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant