Vishay SIHA12N60E-E3
$ 1.174
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIHA12N60E-E3 | 761 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIHA12N60E-E3-ND | 814 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | SIHA12N60E-E3 | 2.050 | 50 | Tube | 15h | |||||||
| Avnet | SIHA12N60E-E3 | 0 | 1K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | SIHA12N60E-E3 | 0 | 1K | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.32%
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Verwandte Teile
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N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
InfineonIPAW60R380CEXKSA1
Improved creepage distance for open frame power supplies, PG-TO220-3, RoHS
VishaySIHP15N50E-GE3
E-Series N-Channel 500 V 156 W 0.243 O 66 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB
STMicroelectronicsSTF11NM60ND
N-channel 600 V, 0.37 Ohm typ., 10 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHA12N60E-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 33 W 29 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
33W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 15.3mm
VISHAY SIHA12N60E-E3 Power MOSFET, N Channel, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance937 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max380 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns