STMicroelectronics STF11NM60ND
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2025-05-21
LTD Date2025-11-21
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP11NM60FDFP
N-Channel 600V - 0.4Ohm - 11A FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STMicroelectronicsSTF14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF11NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.37 Ohm typ., 10 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 600 V 450 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
600 V, 10 A, 0.37 OHM, TO-220FP FDMESH II N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 10A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant