Vishay SIA426DJ-T1-GE3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2020LSN-7
DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
VishaySIA415DJ-T1-GE3
SiA415DJ Series P-Channel 20 V 0.035 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
VishaySI1902CDL-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; 0.235ohm; 420mW; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIA426DJ-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 20 V 23.6 mO 27 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.0236ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:4500mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0361ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance23.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max23.6 mΩ
Rise Time11 ns
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen