Diodes Inc. DMN2020LSN-7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMN2112SN-7
Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2020LSN-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, SC-59, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=20 V, 6.9 A, SOT-346 (SC-59)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N-CH, 20V, SC-59-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Di
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.149 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation610 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation610 mW
Rds On Max20 mΩ
Rise Time12.49 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35.89 ns
Turn-On Delay Time11.67 ns
Dimensions
Height1.4 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen