Vishay SI9945AEY
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.98
Stock
33,680
1,356,441
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
3.7 A
4 A
Threshold Voltage
-
1.7 V
Rds On Max
-
55 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
15 V
Power Dissipation
2.4 W
2 W
Input Capacitance
-
1.03 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-06-30
LTD Date2006-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI9945AEY, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
60V, N-CH 80Mohm 175 DEG.C, TRENCH
MOSFETs 60V 3.7A 2.4W
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.4 W
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm