Vishay SI7636DP-T1-E3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-31
LTD Date2027-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7636DP-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Si7636DP Series N-Channel 30 V 4 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel MOSFETs 30V 28A 0.004Ohm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:28A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V; Power Dissipation, Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen