Vishay SI7464DP-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7464DP-T1-GE3CT-ND | 2.752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 3h | |||||||
| Future Electronics | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| TTI Europe | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 4h |
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$ 0.618
Stock
80,173
126,902
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
240 mΩ
240 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-
Verwandte Teile
VishaySI7820DN-T1-GE3
1.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 18nC@ 10 V 1N 200V 240m¦¸@ 2.6A,10V 1.7A 1212 3.3mm*3.3mm*1.04mm
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7464DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
1.8W 20V 4V@ 250uA 18nC@ 10 V 4N 200V 240m¦¸@ 2.8A,10V 1.8A 6.15mm*5.15mm*1.04mm
N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
N-Ch 200-V (D-S) Fast Switching Mosf |Vishay SI7464DP-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max240 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen