Vishay SI7234DP-T1-GE3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIR492DP-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 4.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI9933CDY-T1-E3
Si9933CDY Series Dual P-Channel 20 V 58 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7410TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID -16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-8V
InfineonIRF7329PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID -9.2A;SO-8;PD 2W;-55de
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7234DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 12 V 0.0034 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
3.5W 12V 1.5V@ 250¦ÌA 120nC@ 10V 2N 12V 3.4m¦¸@ 20A,4.5V 60A 5nF@6V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
Trans MOSFET N-CH 12V 24.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
12V 60A 3.4m´Î@4.5V20A 46W 1.5V@250Ã×A 2 N-Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 24.8A I(D), 12V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 12V, 60A/POWERPAK SO;
MOSFET, N-CH, 12V, 60A, POWERPAK SO;
DUAL 12V 60A 3mOhm PPSO-8 RoHSconf
Transistor; Continuous Drain Current, Id:60000mA; Drain Source Voltage, Vds:12V; On Resistance, Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.8 A
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max3.4 mΩ
Resistance3.4 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen